Память SODIMM-DDR3 8GB PC3-12800 Silicon-Power SP008GBSTU160N02
Краткое описание
SODIMM-DDR3 / 8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
Подробное описание
Основные
Набор................................... 1 модуль
Общий объем............................. 8 ГБ
Тип..................................... DDR3 SO-DIMM
ECC..................................... Нет
Частота................................. 1600 МГц
PC-индекс............................... PC3-12800
CAS Latency............................. 11T
Тайминги................................ 11-11-11
Напряжение питания...................... 1.5
Технические характеристики
Расположение чипов...................... двустороннее
Число микросхем......................... 16
Ёмкость микросхем....................... 4 Гбит
Тип микросхем........................... 512Mx8
Профили XMP............................. Нет
Конструкция
Охлаждение.............................. Нет
Низкопрофильный модуль.................. Нет
Наличие
Нет в наличии
Гарантия
12 мес.
Производитель
"North Tec Asia Limited", Фю Цонь, г.Шанхай №3768, Китай
Импортер
ООО "БВКомпьютерс", г.Минск, пер.Липковский, 12
Сервис
ООО "Медиа Маркет Групп", г. Минск, ул. Я.Коласа, д. 34б, оф. 4Н
Похожие товары
Память 4GB PC3-12800 Kingston KVR16N11/4DDR3 / ValueRAM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 10-11-11, напряжение 1.5 В
43.20 р. 
Память 8GB PC4-21300 Kingston KVR26N19S8/8DDR4 / 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
66.92 р. 
Память 8GB PC4-21300 Patriot PSD48G266681DDR4 / частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
63.72 р. 
Память 4GB PC4-21300 Samsung (M378A5244CB0-CTD)DDR4 / частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
68.40 р. 
Память 4GB PC3-10600 Kingston KVR1333D3N9/4GDDR3 / частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
64.80 р. - Память 8GB PC4-25600 G.Skill F4-3200C16S-8GIS
DDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
69.73 р.
