Расшифровка номеров модулей памяти Kingston

RAM Kingston

Мы поможем вам выбрать и приобрести высококачественную оперативную память Kingston, которая представлена у нас в широком ассортименте. Чтобы упростить процесс подбора, следует определиться с основными характеристиками и параметрами. Для этого предлагаем вам ознакомиться с расшифровкой обозначения памяти Kingston, чтобы вы смогли самостоятельно выбрать подходящую вам память.

Kingston FURY™ DDR5

Номер артикула: KF548C38BB-16

KF 5 48 C 38 B B K2 - 16

KF = линейка продукции

  • KF – Kingston FURY

5 = технология

  • 5 – DDR5

48 = скорость

  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000

C = тип памяти DIMM

  • C – UDIMM

38 = CAS-латентность

  • 38 – CL38
  • 40 – CL40

B = серия

  • B – Beast

B = теплоотвод

  • B – черный

K2 = комплект + кол-во модулей в комплекте

  • не указано – отдельный модуль
  • K2 – комплект из 2 модулей

16 = общая емкость

  • 16 – 16GB
  • 32 – 32GB

DDR5 ValueRAM

Номер артикула: KVR48U40BS8LK2-32X

KVR 48 U 40B S 8 L K2 – 32 X

KVR = Kingston ValueRAM

  • KVR – Kingston ValueRAM

48 = скорость

  • 48 – 4800
  • 52 – 5200
  • 56 – 5600
  • 60 – 6000

U = тип памяти DIMM

  • U – DIMM (небуферизованный, без ECC)
  • S – SO-DIMM (небуферизованный, без ECC)

40B = CAS-латентность

  • 40 – 40-40-40
  • 40B – 40-39-39
  • 42 – 42-42-42

S = ранги

  • S – одноранговый
  • D – двухранговый

8 = тип памяти DRAM

  • 8 – микросхема DRAM x8
  • 6 – микросхема DRAM x16

L = профиль

  • не указано – стандартный
  • L – очень низкий профиль (VLP)

K2 = комплект + количество модулей

  • не указано – отдельный модуль
  • K2 – комплект из 2 модулей
  • K4 – комплект из 4 модулей

32 = общая емкость

  • 8 – 8 ГБ
  • 16 – 16 ГБ
  • 32 – 32 ГБ
  • 64 – 64 ГБ
  • 128 – 128 ГБ
  • 256 – 256 ГБ

X = адаптация

  • не указано – стандартный пакет
  • BK – большой пакет

Расшифровка номеров по каталогу Kingston FURY™ DDR4/DDR3

Номер артикула: KF432C16BB1AK4/64

KF 4 32 C 15 B B 1 A K4 / 64

KF = линейка продукции

  • KF - Kingston FURY

4 = технология

  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4

32 = скорость

  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 26 - 2666
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333

C = тип памяти DIMM

  • C - UDIMM
  • S - SODIMM

16 = CAS-латентность

  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 13 - CL13
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20

B = серия

  • B - Beast
  • R - Renegade
  • I - Impact

B = теплоотвод

  • не указано — синий
  • B - черный
  • R - красный

1 = версия

  • не указано - 1я версия
  • 1 - модули 16 ГБ с компонентами 1Gx8 (8 Гбит)
  • 2 - 2я версия
  • 3 - 3я версия

A = RGB

  • не указано - Без RGB-подсветки
  • A - RGB-подсветка

K4 = комплект + кол-во модулей в комплекте

  • Пусто – отдельный модуль
  • K2 - комплект из 2 модулей
  • K4 - комплект из 4 модулей
  • K8 - комплект из 8 модулей

64 = общая емкость

  • 4 - 4 ГБ
  • 8 - 8 ГБ
  • 16 - 16 ГБ
  • 32 - 32 ГБ
  • 64 - 64 ГБ
  • 128 - 128 ГБ
  • 256 - 256 ГБ

Расшифровка номеров по каталогу HyperX®

Номер артикула: HX429C15PB3AK4/32

HX 4 29 C 15 P B 3 A K4 / 32

HX = Линейка продукции

  • HX - HyperX (прежние модули)

4 = технология

  • 3 - DDR3
  • 4 - DDR4

29 = скорость

  • 13 - 1333
  • 16 - 1600
  • 18 - 1866
  • 21 - 2133
  • 24 - 2400
  • 26 - 2666
  • 28 - 2800
  • 29 - 2933
  • 30 - 3000
  • 32 - 3200
  • 33 - 3333
  • 34 - 3466
  • 36 - 3600
  • 37 - 3733
  • 40 - 4000
  • 41 - 4133
  • 42 - 4266
  • 46 - 4600
  • 48 - 4800
  • 50 - 5000
  • 51 - 5133
  • 53 - 5333

C = тип памяти DIMM

  • C - UDIMM
  • S - SODIMM

15 = CAS-латентность

  • 9 - CL9
  • 10 - CL10
  • 11 - CL11
  • 12 - CL12
  • 13 - CL13
  • 14 - CL14
  • 15 - CL15
  • 16 - CL16
  • 17 - CL17
  • 18 - CL18
  • 19 - CL19
  • 20 - CL20

P = серия

  • F - FURY
  • B - Beast
  • S - Savage
  • P - Predator
  • I - Impact

B = теплоотвод

  • не указано- синий
  • B - черный
  • R - красный
  • W - белый

3 = версия

  • 2 – 2-я версия
  • 3 – 3-я версия
  • 4 – 4-я версия

A = RGB

  • не указано - без RGB-подсветки
  • A - RGB-подсветка

K4 = комплект + кол-во модулей в комплекте

  • не указано - отдельный модуль
  • K2 - комплект из 2 модулей
  • K4 - комплект из 4 модулей
  • K8 - комплект из 8 модулей

32 = общая емкость

  • 4 - 4 ГБ
  • 8 - 8 ГБ
  • 16 - 16 ГБ
  • 32 - 32 ГБ
  • 64 - 64 ГБ
  • 128 - 128 ГБ
  • 256 - 256 ГБ

DDR4 Server Premier

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Номер по каталогу: KSM26RD4L/32HAI

KSM 26 R D 4 L / 32 H A I

KSM = Kingston Server Premier

  • KSM: Kingston Server Premier

26 = Скорость (MT/s)

  • 24: 2400 MT/s
  • 26: 2666 MT/s
  • 29: 2933 MT/s
  • 32: 3200 MT/s

R = Тип модуля

  • E: модуль DIMM без буфера (ECC)
  • R: зарегистрированный модуль DIMM
  • L: модуль DIMM с уменьшенной нагрузкой
  • SE: модуль SO-DIMM без буфера (ECC)

D = Ранки

  • S: одинарный
  • D: двойной
  • Q: Четырех

4 = Тип DRAM

  • 4: x4
  • 8: x8

L = Профиль печатной платы

  • L: очень низкопрофильный модуль DIMM

32 = емкость

  • 8 Гб
  • 16 Гб
  • 32 Гб
  • 64 Гб
  • 128 Гб
  • 256 Гб

H = Изготовитель DRAM

  • H: SK Hynix
  • M: Micron

A = Новая версия кристалла DRAM

  • A кристалл
  • B кристалл
  • E кристалл

I = Зарегистрировать изготовителя

  • I : IDT
  • M : Montage
  • R : Rambus

DDR4 ValueRAM

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Номер по каталогу: KVR21LR15D8LK2/4HBI

KVR 21 L R 15 D 8 L K2 / 4 H B I

KVR = Kingston ValueRAM

  • KVR: Kingston ValueRAM

21 = Скорость

  • 21: 2133
  • 24: 2400
  • 26: 2666
  • 29: 2933
  • 32: 3200

L = Низковольтный

  • Без обозначения: 1,2V
  • L: TBD

R = Тип модуля

  • E: небуферизованный DIMM (ECC) с термодатчиком
  • L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
  • N: небуферизованный DIMM (не ECC)
  • R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
  • S: SO-DIMM, небуферизованный (не Ecc)

15 = Латентность (CAS)

  • 15 : Латентность (CAS)

D = Ранки

  • S: одноранковый
  • D: Двухранковый
  • Q: Четырехранковые
  • O: восьмиранковый

8 = Тип DRAM

  • 4: x4 микросхема DRAM
  • 8: x8 микросхема DRAM
  • 6: x16 микросхема DRAM

L = Профиль

  • Без обозначения: любая высота
  • H: 31,25mm
  • L: 18,75mm (VLP)

K2 = Комплект + количество единиц продукции

  • Без обозначения: Отдельный модуль
  • K2: комплект из двух модулей
  • K3: комплект из трех модулей

4 = емкость

  • 4 : емкость (Гб)

H = Изготовитель DRAM

  • H: SK Hynix
  • K: Kingston
  • M: Micron
  • S: Samsung

B = Версия

  • B – Версия

I = Сертификация Intel

  • I = Сертификация Intel

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Расшифровка каталожных номеров модулей памяти ValueRAM

Пример:

Схема нового номера: KVR 16 R11 D4 / 8

Схема старого номера: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

Новая схема номеров применяется к продукции, выпущенной после 1 мая 2012 г.

Номер по каталогу: KVR16LR11D8LK2/4HB

KVR 16 L R 11 D 8 L K2 / 4 H B

KVR = Kingston ValueRAM

  • KVR: Kingston ValueRAM

16 = Скорость

  • 16: 1600
  • 13: 1333
  • 10: 1066

L = Низковольтный

  • Без обозначения: 1,5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V

R = Тип модуля

  • E: небуферизованный DIMM (ECC)
  • N: небуферизованный DIMM (не ECC)
  • R: регистровый DIMM с
  • L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
  • S: SO-DIMM

11 = Латентность (CAS)

  • 11: Латентность (CAS)

D = Ранки

  • S: одноранковый
  • D: Двухранковый
  • Q: Четырехранковые

8 = Тип DRAM

  • 4: микросхема DRAM x4
  • 8: микросхема DRAM x8

L = Профиль

  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm

K2 = Комплект + количество единиц продукции

  • K2: комплект из двух модулей
  • K3: комплект из трех модулей
  • K4: комплект из четырех модулей

4 = емкость

  • 4: 4Гб
  • 8: 8Гб
  • 12: 12Гб
  • 16: 16Гб
  • 24: 24Гб
  • 32: 32Гб
  • 48: 48Гб
  • 64: 64Гб

H = DRAM MFGR/Сертификация

  • H: Hynix
  • E: Elpida
  • I: Сертификация Intel

B = Версия кристалла

  • B: Версия кристалла

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

Номер по каталогу: KVR1066D3LD8R7SLK2/4GHB

KVR 1066 D3 L D 8 R 7 S L K2 / 4G H B

KVR = Kingston ValueRAM

  • KVR: Kingston ValueRAM

1066 = Скорость

  • 1066: Скорость

D3 = Technology

  • D2: DDR2
  • D3: DDR3

L = Низковольтный

  • Без обозначения: 1,5V
  • L: 1,35V
  • U: 1,25V

D = Технология

  • S: одноранковый
  • D: Двухранковый
  • Q: Четырехранковые

8 = DRAM

  • 4: микросхема DRAM x4
  • 8: микросхема DRAM x8

R = Тип модуля

  • P: регистровый с контролем четности (только для регистровых модулей)
  • E: небуферизованный DIMM (ECC)
  • F: FB DIMM
  • M: Mini-DIMM
  • N: небуферизованный DIMM (не ECC)
  • R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
  • S: SO-DIMM
  • U: Micro-DIMM

7 = Латентность (CAS)

  • 7: Латентность (CAS)

S = термодатчиком

  • Без обозначения: без термодатчика
  • S: с термодатчиком

L = Профиль

  • Без обозначения:Без обозначения
  • L: 18,75mm (VLP)
  • H: 30mm

K2 = Комплект + количество единиц продукции

  • Без обозначения: Отдельный модуль
  • K2: комплект из двух модулей
  • K3: комплект из трех модулей

4G = емкость

  • 4G: емкость (Гб)

H = DRAM MFGR

  • H: DRAM MFGR

B = Версия

  • B: Версия

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

Номер по каталогу: KVR400X72RC3AK2/1G

KVR 400 X72 R C3 A K2 / 1G

KVR = Kingston ValueRAM

  • KVR: Kingston ValueRAM

400 = Скорость

  • 266
  • 333
  • 400

X72 = X72 ECC

  • X72: X72 ECC

R = регистровая

  • R: регистровая

C3 = Латентность (CAS)

  • C3: Латентность (CAS)

A = DDR400 3-3-3

  • A: DDR400 3-3-3

K2 = Комплект + количество единиц продукции

  • K2: комплект из двух модулей

1G = емкость

  • 1G: емкость (Гб)

 

Глоссарий

Емкость

Общее количество имеющихся ячеек памяти, содержащееся в модуле памяти, выраженное в гигабайтах (ГБ). Для комплектов указанная емкость — это совокупная емкость всех модулей в комплекте.

CAS-латентность

Заранее определенной в соответствии со стандартом количество тактов для чтения/записи данных в/из модулей и для контроллера памяти. После загрузки команды чтения/записи, а также адресов строка/столбец, CAS-латентность представляет собой время ожидания, необходимое для подготовки этих данных.

DDR4

Технология памяти четвертого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR4». Модули памяти DDR4 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,2 В), различных конфигурациях контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.

DDR5

Технология памяти пятого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR5». Модули памяти DDR5 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,1 В), различий в конфигурации контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.

Тип памяти DIMM

UDIMM (небуферизованный (non-ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module) модуль памяти без функции коррекции ошибок) — это модуль памяти с длинным форм-фактором и шириной данных x64, наиболее часто используемый в настольных системах, где исправление ошибок не требуется, а емкость DIMM ограничена.

SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) — это модуль памяти с уменьшенным форм-фактором, предназначенный для небольших вычислительных систем, таких как ноутбуки, микросерверы, принтеры или маршрутизаторы.

Гигабит (Гбит)

Бит — это наименьшая единица данных в вычислениях, которая представляется как 1 или 0 (вкл./выкл.). Гигабит (Гбит) — это 1 миллиард битов (или 109) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти Гб (или Гбит) обычно используется для выражения плотности отдельного компонента DRAM.

Гигабайт (ГБ)

Байт состоит из 8 бит. Гигабайт (ГБ) — это 1 миллиард байтов (или 109) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти ГБ используется для представления общей емкости данных модуля памяти или группы модулей памяти, объединенных в общую системную память.

Комплект

Номер по каталогу, который включает в себя несколько модулей памяти, обычно для поддержки двух-, трех- или четырехканальной архитектуры памяти. Например, K2 = 2 DIMM в комплекте, чтобы составить общую емкость.

Скорость (так же называемая частотой)

Скорость передачи данных или эффективная тактовая частота, поддерживаемая модулем памяти, измеряется в МГц (мегагерцах) или МТ/с (мегатрансферах в секунду). Чем выше скорость, тем больше данных может быть передано в секунду.

Приведённая ниже информация поможет проиллюстрировать различные настройки, которые можно регулировать при установке оптимальных по производительности таймингов оперативной памяти в BIOS системной платы. Обратите внимание, что эти настройки могут различаться в зависимости от производителя и модели материнской платы, а также версии BIOS.

Memory timings

CAS-латентность (CL): Задержка между активацией и чтением строки.

Задержка RAS-СAS или RAS-столбец (tRCP): Активирует строку

Задержка предзаряда строки или задержка предзаряда RAS (tRP/tRCP): Отключает строку

Активная задержка строки или активная задержка RAS или время до готовности (tRA/tRD/tRAS): Количество тактовых циклов между активацией/деактивацией строки.

Также всегда в наличии: Флешки, Внешние жесткие диски, Карты памяти, SSD, Мыши.