Память 4Gb PC3-12800 Samsung (M378B5173DB0-CK0)
Краткое описание
DDR3 / частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
Подробное описание
Объем 4 ГБ
Тип DDR3 DIMM
Частота 1600 МГц
PC-индекс PC3-12800
CAS Latency 11T
Напряжение питания 1.5 В
Наличие
Нет в наличии
Гарантия
12 мес.
Производитель
"SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD", Samsung Main Building, 250, 2-ga Taepyung-ro Chung-gu, Seoul
Импортер
ЧТУП "Артека-Сеть", г.Минск, ул.Пинская, 18-8А
Сервис
ООО "Компьютербай Сервис", г.Минск, пр. Машерова 11, офис 104
Похожие товары
Память SODIMM-DDR3 4GB PC3-12800 Kingston KVR16LS11/4 (WP)SODIMM-DDR3 / ValueRAM, 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (разгон 1.5 В)
82.12 р. 
Память SODIMM-DDR3 8GB PC3-12800 Kingston KVR16S11/8 (WP)SODIMM-DDR3 / ValueRAM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
134.14 р. 
Память SODIMM-DDR3 4GB PC3-12800 Transcend (TS512MSK64V6N)SODIMM-DDR3 / 1600 МГц, тайминги 11-11-11, напряжение питания 1.5 В
122.76 р. 
Память SODIMM-DDR3 8GB PC3-12800 Samsung M471B1G73DB0-YK0SODIMM-DDR3 / 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
94.32 р. - Память 16GB (2x8GB) PC4-24000 G.Skill F4-3000C16D-16GISB
DDR4 / 2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
141.80 р. - Память 16GB PC4-24000 G.Skill F4-3000C16S-16GISB
DDR4 / 1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
133.34 р.
