Память SODIMM-DDR4 32GB PC4-21300 Silicon-Power SP032GBLFU266F02
Краткое описание
SODIMM-DDR4 / 32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
Подробное описание
Основные
Набор................................... 1 модуль
Общий объем............................. 32 ГБ
Тип..................................... DDR4 SO-DIMM
ECC..................................... Нет
Частота................................. 2666 МГц
PC-индекс............................... PC4-21300
CAS Latency............................. 19T
Напряжение питания...................... 1.2
Технические характеристики
Профили XMP............................. Нет
Поддержка AMD EXPO...................... Нет
Конструкция
Охлаждение.............................. Нет
Низкопрофильный модуль.................. Нет
Подсветка элементов платы............... Нет
Цвет.................................... черный
Наличие
Нет в наличии
Гарантия
12 мес.
Производитель
"North Tec Asia Limited", Фю Цонь, г.Шанхай №3768, Китай
Импортер
ООО "БВКомпьютерс", г.Минск, пер.Липковский, 12
Сервис
ООО "Медиа Маркет Групп", г. Минск, ул. Я.Коласа, д. 34б, оф. 4Н
Похожие товары
- Память 16GB (2x8GB) PC4-25600 G.Skill F4-3200C16D-16GIS
DDR4 / 2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
408.12 р. 
Память 16GB PC4-25600 Kingston KSM32ES8/16HCDDR4 / 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
298.39 р. 
8 днейПамять SODIMM-DDR4 16GB PC4-19200 AMD R7416G2400S2S-UOSODIMM-DDR4 /1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
391.08 р. 
7 днейПамять 16GB PC4-19200 Patriot PSD416G24002DDR4 / Signature Line, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
403.93 р. 
8 днейПамять SODIMM-DDR4 16GB PC4-19200 Patriot PSD416G24002SSODIMM-DDR4 / 1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В
405.49 р. 
G.Skill
5 днейПамять 16GB (2x8GB) PC4-25600 G.Skill F4-3200C16D-16GVKBDDR4 / 2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
360.57 р.
