Память 32GB PC3-12800 Samsung M386B4G70DM0-YK0 ECC
Краткое описание
DDR3 / 32 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
Подробное описание
Основные
Набор................................... 1 модуль
Общий объем............................. 32 ГБ
Тип..................................... DDR3 DIMM Registered
ECC..................................... Да
Частота................................. 1600 МГц
PC-индекс............................... PC3-6400
CAS Latency............................. 11T
Тайминги................................ 11-11-11
Напряжение питания...................... 1.35
Технические характеристики
Расположение чипов...................... двустороннее
Количество ранков....................... 4
Число микросхем......................... 36
Ёмкость микросхем....................... 8 Гбит
Тип микросхем........................... 2Gx4
Профили XMP............................. Нет
Конструкция
Охлаждение.............................. Да
Низкопрофильный модуль.................. Нет
Наличие
Нет в наличии
Гарантия
12 мес.
Производитель
"SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD", Samsung Main Building, 250, 2-ga Taepyung-ro Chung-gu, Seoul
Импортер
ЧТУП "Артека-Сеть", г.Минск, ул.Пинская, 18-8А
Сервис
ООО "Компьютербай Сервис", г.Минск, пр. Машерова 11, офис 104
Похожие товары
Память 16GB (2x8GB) PC3-14900 Patriot PV316G186C0KDDR3 / Viper 3 Black Mamba, 1866 МГц, CL 10T, тайминги 10-11-10-30, напряжение 1.5 В
250.05 р. 
Память 8GB PC4-21300 Kingston KVR26N19S8/8DDR4 / 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
212.12 р. 
Память 8GB PC4-21300 Patriot PSD48G266681DDR4 / частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
212.25 р. 
Память 8GB PC4-25600 Kingston KVR32N22S8/8DDR4 / Количество слотов памяти: 1; Частота: 3200 МГц; CL22; 1.2 В
305.49 р. - Память 8GB PC4-25600 G.Skill F4-3200C16S-8GIS
DDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
265.40 р. 
Память SODIMM-DDR4 8GB PC4-25600 Kingston KVR32S22S8/8SODIMM-DDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
212.49 р.
