Память Kingston, Hynix original, Corsair, Patriot - интернет-магазин, продажа и доставка по Минску и Беларуси
7 днейПамять 64GB PC4-25600 Samsung (M386A8K40DM2-CWE) M386A8K40DM2-CWELYDDR4 / 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
3 551.93 р. 
7 днейПамять 64GB PC4-25600 Samsung M393A8G40AB2-CWE ECCDDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
6 187.42 р. 
10 днейПамять 64GB PC4-25600 Samsung M393A8G40AB2-CWEBYDDR4 / 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
5 958.14 р. 
12 днейПамять 64GB PC4-25600 Samsung M393A8G40BB4-CWEDDR4 / 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
5 031.34 р. 
7 днейПамять 64GB PC4-25600 Samsung M393A8G40CB4-CWE ECCDDR4 / 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
4 987.66 р. 
7 днейПамять 64Gb PC5-38400 Samsung M321R8GA0BB0-CQK ECCDDR5 / 64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
12 722.53 р. 
7 днейПамять 64Gb PC5-38400 Samsung M321R8GA0BB0-CQKZJ ECCDDR5 / 64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В
12 526.82 р. 
7 днейПамять 64Gb PC5-44800 Samsung M321R8GA0PB0-CWM ECCDDR5 / 64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
11 939.61 р. 
7 днейПамять 8GB PC4-25600 Samsung M378A1G44AB0-CWEDDR4 / 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
376.48 р. 
7 днейПамять 8GB PC5-38400 Samsung M323R1GB4BB0-CQKOLDDR5 / 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
887.67 р. 
7 днейПамять 8GB PC5-44800 Samsung M323R1GB4DB0-CWMDDR5 / 8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В
887.67 р. 
7 днейПамять 96Gb PC5-44800 Samsung M321RYGA0PB0-CWM ECCDDR5 / 96 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
23 701.19 р. 
7 днейПамять SODIMM-DDR4 8GB PC4-25600 Samsung M471A1G44AB0-CWESODIMM-DDR4 / 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
336.70 р. 
7 днейПамять SODIMM-DDR4 8GB PC4-25600 Samsung M471A1G44CB0-CWESODIMM-DDR4 / 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
384.40 р. 
12 днейПамять SODIMM-DDR4 8GB PC4-25600 Samsung M471A1K43EB1-CWESODIMM-DDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
292.54 р. 
7 днейПамять SODIMM-DDR5 16GB PC5-44800 Samsung M425R2GA3BB0-CWMSODIMM-DDR5 / 16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
1 212.62 р. 
7 днейПамять SODIMM-DDR5 32GB PC5-38400 Samsung M425R4GA3BB0-CQKSODIMM-DDR5 / 32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
1 410.79 р. 
3 дняПамять SODIMM-DDR5 8GB PC5-44800 Samsung M425R1GB4BB0-CWMODSODIMM-DDR5 / 8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
522.04 р.
