Память Kingston, Hynix original, Corsair, Patriot - интернет-магазин, продажа и доставка по Минску и Беларуси
Память 16GB PC4-25600 Samsung M378A2G43AB3-CWEDDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
476.89 р. 
Память 16GB PC4-25600 Samsung M378A2K43EB1-CWEDDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
594.56 р. 
Память 16GB PC4-25600 Samsung M391A2K43DB1-CWEDDR4 / 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
1 500.59 р. 
Память 32Gb PC5-44800 Samsung M321R4GA3PB0-CWM ECCDDR5 /32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В
6 233.22 р. 
Память 32Gb PC5-51200 Samsung M321R4GA3EB2-CCPDDR5 /32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 6400 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
6 524.10 р. 
Память 64GB PC4-25600 Samsung (M386A8K40DM2-CWE) M386A8K40DM2-CWELYDDR4 / 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
4 571.03 р. 
Память 8GB PC3-17000 Samsung (M378A1K43BB1-CPB)DDR3 / частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В
150.59 р. 
Память 8GB PC4-17000 Samsung M378A1G43DB0-CPBDDR4 / 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В
150.59 р. 
Память 8GB PC4-17000 Samsung M378A1G43EB1-CPBDDR4 / 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В
150.59 р. 
Память 8GB PC4-25600 Samsung M378A1G44AB0-CWEDDR4 / 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
284.22 р. -
Память 8GB PC4-25600 Samsung M378A1G44BB0-CWE
DDR4 / 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
284.22 р. 
Память 8GB PC5-51200 Samsung M333R1GB4PB1-CCPSGDDR5 / 8 ГБ, 1 модуль DDR5 CUDIMM, частота 6400 МГц, CL 52T, напряжение 1.1 В
513.14 р. 
Память SODIMM-DDR3 8GB PC3-12800 J-Tec M471B1G73QH0-YK0SODIMM-DDR3 / частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
105.77 р. 
Память SODIMM-DDR4 8GB PC4-25600 Samsung M471A1G44CB0-CWESODIMM-DDR4 / 8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
331.15 р. 
Память SODIMM-DDR4 8GB PC4-25600 Samsung M471A1K43EB1-CWESODIMM-DDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
244.74 р. 
5 днейПамять 128GB PC4-25600 Samsung M393AAG40M32-CAECO ECCDDR4 / 128 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
7 593.22 р. 
5 днейПамять 128Gb PC5-38400 Samsung M321RAGA0B20-CWK ECCDDR5 / 128 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
18 831.38 р. 
6 днейПамять 16GB PC4-25600 Samsung M393A2K40DB3-CWE ECCDDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
1 717.83 р. 
5 днейПамять 16GB PC4-25600 Samsung M393A2K40EB3-CWEDDR4 / 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
1 006.42 р.
