Уважаемые покупатели, 1 мая, 9 мая, а также с 11 по 14 мая мы работаем с 10:00 до 16:00.
Память SODIMM-DDR3 4GB PC3-12800 Kingston KVR16S11S8/4
Краткое описание
SODIMM-DDR3 / ValueRAM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
Подробное описание
Тип памяти DDR3
Форм-фактор SODIMM 204-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 11
RAS to CAS Delay (tRCD) 11
Row Precharge Delay (tRP) 11
Количество чипов каждого модуля 8, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В
Количество ранков 1
Наличие
Нет в наличии
Гарантия
12 мес.
Производитель
Kingston Technology Company, Inc. 17600 Newhope Street Fountain Valley, CA 92708 USA
Импортер
ООО "Надежная техника", г.Минск, ул.Вязынская, д.8, пом.1/4
Сервис
ЧПТУП "Технодинамика", г.Минск, ул.Козлова, 3, офис 5а
Похожие товары
Память SODIMM-DDR3 4GB PC3-12800 Kingston KVR16LS11/4WPSODIMM-DDR3 / ValueRAM, 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (разгон 1.5 В)
81.76 р. 
Память 8GB PC4-21300 Kingston KVR26N19S8/8DDR4 / 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
66.92 р. 
Память 8GB PC4-21300 Patriot PSD48G266681DDR4 / частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
63.72 р. 
Память 4GB PC4-21300 Samsung (M378A5244CB0-CTD)DDR4 / частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
68.40 р. 
Память 4GB PC3-10600 Kingston KVR1333D3N9/4GDDR3 / частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
64.80 р. - Память 8GB PC4-25600 G.Skill F4-3200C16S-8GIS
DDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
69.73 р.
