Память SODIMM-DDR3 4GB PC3-12800 AMD R534G1601S1S-UO
Краткое описание
SODIMM-DDR3 / Radeon Entertainment, 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
Подробное описание
Объем 4 ГБ
Тип DDR3 SO-DIMM
Частота 1600 МГц
PC-индекс PC3-12800
CAS Latency 11T
Тайминги 11-11-11-28
Напряжение питания 1.5 В
Количество банков 2
Число микросхем 4
Наличие
Нет в наличии
Гарантия
12 мес.
Производитель
"North Tec Asia Limited", Фю Цонь, г.Шанхай №3768, Китай
Импортер
ООО "ДжетСервис", г.Минск, ул.Толбухина, 4
Сервис
ООО "Компьютербай Сервис", г.Минск, пр. Машерова 11, офис 104
Похожие товары
Память SODIMM-DDR2 2GB PC2-6400 Patriot PSD22G8002SSODIMM-DDR2 / частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В
39.16 р. 
Память 4GB PC4-21300 Samsung (M378A5244CB0-CTD)DDR4 / частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Память SODIMM-DDR3 8GB PC3-12800 Silicon-Power SP008GLSTU160N02SODIMM-DDR3 / 8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
- Память SODIMM-DDR4 4GB PC4-25600 KingSpec KS3200D4N12004G
SODIMM-DDR4 / 4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
53.28 р. - Память SODIMM-DDR5 8GB PC5-44800 Hynix HMCG66AGBSA095N
SODIMM-DDR5 / 8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В
Память SODIMM-DDR5 8GB PC5-44800 Samsung M425R1GB4PB0-CWMOL (ОЕМ)SODIMM-DDR5 / 8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 46-46-46, напряжение 1.1 В
** Указанная цена действительна при покупке в рассрочку до 6 месяцев. При более длительной рассрочке цену уточняйте у операторов или в комментарии к заказу.
