SK Hynix завершила разработку памяти DDR5 5200 МГц объёмом 16 ГБ

В пресс-релизе SK Hynix подтвердили, что они завершили разработку своего 16-гигабайтного модуля DDR5 DRAM. DRAM следующего поколения полностью совместим со стандартом JEDEC и основан на 10-нм технологическом процессе, что обеспечивает более эффективную и быструю работу, чем DDR4 DRAM текущего поколения. Новая память SK Hynix имеет частоту 5200 МГц при напряжении питании в 1,1 В, 16 Гб. Платформа памяти предназначена для обеспечения более высоких скоростей с увеличенной пропускной способностью. Целевым рынком для данной памяти является такие отрасли как машинное обучение, нейронный сети и другие данные больших объёмов.

«Основываясь на технологических достижениях, которые позволили первой в отрасли DDR5 DRAM соответствовать стандартам JEDEC, SK Hynix планирует начать массовое производство продукта с 2020 года, к этому времени ожидается, что рынок DDR5 откроется, чтобы активно реагировать на запросы клиентов», — сказал вице-президент Joohwan Cho, руководитель группы по выпуску модулей.

Следуя спецификациям, SK Hynix завершила разработку 16-гигабайтной DDR5 DRAM с технологией обработки 10 нм. Они используют один и тот же процесс для 8 ГБ DDR4 DRAM, но с интерфейсом DDR5 вы получаете больше, чем повышенные скорости передачи. Это архитектурное обновление в целом, целью которого является обеспечение максимальной эффективности. Разработанный модуль DDR5 работает только с 1,1 В.

В дополнение к усовершенствованиям мощности, 16 ГБ DDR5 DRAM имеет скорость передачи данных 5200 МТ / с, что на 60% выше, чем стандартная 3200 МГц DDR4 DRAM. В настоящее время имеется только несколько комплектов памяти, которые обеспечивают скорость до 4800 МГц, в то время как оверклокеры достигли частоту в 5000 МГц, используя LN2. Но учтите, что 5000 МГц + скорости на DDR4 были достигнуты с использованием лучших из лучших комплектующих, с DDR5, вы получите такую частоту с коробки, при разгоне можно достичь частоту в 6400 МГц.