Расшифровка номеров модулей памяти Kingston

Мы поможем вам выбрать и приобрести высококачественную оперативную память Kingston, которая представлена у нас в широком ассортименте. Чтобы упростить процесс подбора, следует определиться с основными характеристиками и параметрами. Для этого предлагаем вам ознакомиться с расшифровкой обозначения памяти Kingston, чтобы вы смогли самостоятельно выбрать подходящую вам память.

Kingston FURY™ DDR5

Номер артикула: KF548C38BB-16

KF 5 48 C 38 B B K2 - 16

KF = линейка продукции

• KF – Kingston FURY

5 = технология

• 5 – DDR5

48 = скорость

• 48 – 4800
• 52 – 5200
• 56 – 5600
• 60 – 6000

C = тип памяти DIMM

• C – UDIMM

38 = CAS-латентность

• 38 – CL38
• 40 – CL40

B = серия

• B – Beast

B = теплоотвод

• B – черный

K2 = комплект + кол-во модулей в комплекте

• не указано – отдельный модуль
• K2 – комплект из 2 модулей

16 = общая емкость

• 16 – 16GB
• 32 – 32GB

DDR5 ValueRAM

Номер артикула: KVR48U40BS8LK2-32X

KVR 48 U 40B S 8 L K2 – 32 X

KVR = Kingston ValueRAM

• KVR – Kingston ValueRAM

48 = скорость

• 48 – 4800
• 52 – 5200
• 56 – 5600
• 60 – 6000

U = тип памяти DIMM

• U – DIMM (небуферизованный, без ECC)
• S – SO-DIMM (небуферизованный, без ECC)

40B = CAS-латентность

• 40 – 40-40-40
• 40B – 40-39-39
• 42 – 42-42-42

S = ранги

• S – одноранговый
• D – двухранговый

8 = тип памяти DRAM

• 8 – микросхема DRAM x8
• 6 – микросхема DRAM x16

L = профиль

• не указано – стандартный
• L – очень низкий профиль (VLP)

K2 = комплект + количество модулей

• не указано – отдельный модуль
• K2 – комплект из 2 модулей
• K4 – комплект из 4 модулей

32 = общая емкость

• 8 – 8 ГБ
• 16 – 16 ГБ
• 32 – 32 ГБ
• 64 – 64 ГБ
• 128 – 128 ГБ
• 256 – 256 ГБ

X = адаптация

• не указано – стандартный пакет
• BK – большой пакет

Расшифровка номеров по каталогу Kingston FURY™ DDR4/DDR3

Номер артикула: KF432C16BB1AK4/64

KF 4 32 C 15 B B 1 A K4 / 64

KF = линейка продукции

• KF - Kingston FURY

4 = технология

• 3 - DDR3
• 4 - DDR4

32 = скорость

• 16 - 1600
• 18 - 1866
• 26 - 2666
• 29 - 2933
• 30 - 3000
• 32 - 3200
• 36 - 3600
• 37 - 3733
• 40 - 4000
• 42 - 4266
• 46 - 4600
• 48 - 4800
• 50 - 5000
• 51 - 5133
• 53 - 5333

C = тип памяти DIMM

• C - UDIMM
• S - SODIMM

16 = CAS-латентность

• 9 - CL9
• 10 - CL10
• 11 - CL11
• 13 - CL13
• 15 - CL15
• 16 - CL16
• 17 - CL17
• 18 - CL18
• 19 - CL19
• 20 - CL20

B = серия

• B - Beast
• R - Renegade
• I - Impact

B = теплоотвод

• не указано — синий
• B - черный
• R - красный

1 = версия

• не указано - 1я версия
• 1 - модули 16 ГБ с компонентами 1Gx8 (8 Гбит)
• 2 - 2я версия
• 3 - 3я версия

A = RGB

• не указано - Без RGB-подсветки
• A - RGB-подсветка

K4 = комплект + кол-во модулей в комплекте

• Пусто – отдельный модуль
• K2 - комплект из 2 модулей
• K4 - комплект из 4 модулей
• K8 - комплект из 8 модулей

64 = общая емкость

• 4 - 4 ГБ
• 8 - 8 ГБ
• 16 - 16 ГБ
• 32 - 32 ГБ
• 64 - 64 ГБ
• 128 - 128 ГБ
• 256 - 256 ГБ

Расшифровка номеров по каталогу HyperX®

Номер артикула: HX429C15PB3AK4/32

HX 4 29 C 15 P B 3 A K4 / 32

HX = Линейка продукции

• HX - HyperX (прежние модули)

4 = технология

• 3 - DDR3
• 4 - DDR4

29 = скорость

• 13 - 1333
• 16 - 1600
• 18 - 1866
• 21 - 2133
• 24 - 2400
• 26 - 2666
• 28 - 2800
• 29 - 2933
• 30 - 3000
• 32 - 3200
• 33 - 3333
• 34 - 3466
• 36 - 3600
• 37 - 3733
• 40 - 4000
• 41 - 4133
• 42 - 4266
• 46 - 4600
• 48 - 4800
• 50 - 5000
• 51 - 5133
• 53 - 5333

C = тип памяти DIMM

• C - UDIMM
• S - SODIMM

15 = CAS-латентность

• 9 - CL9
• 10 - CL10
• 11 - CL11
• 12 - CL12
• 13 - CL13
• 14 - CL14
• 15 - CL15
• 16 - CL16
• 17 - CL17
• 18 - CL18
• 19 - CL19
• 20 - CL20

P = серия

• F - FURY
• B - Beast
• S - Savage
• P - Predator
• I - Impact

B = теплоотвод

• не указано- синий
• B - черный
• R - красный
• W - белый

3 = версия

• 2 – 2-я версия
• 3 – 3-я версия
• 4 – 4-я версия

A = RGB

• не указано - без RGB-подсветки
• A - RGB-подсветка

K4 = комплект + кол-во модулей в комплекте

• не указано - отдельный модуль
• K2 - комплект из 2 модулей
• K4 - комплект из 4 модулей
• K8 - комплект из 8 модулей

32 = общая емкость

• 4 - 4 ГБ
• 8 - 8 ГБ
• 16 - 16 ГБ
• 32 - 32 ГБ
• 64 - 64 ГБ
• 128 - 128 ГБ
• 256 - 256 ГБ

DDR4 Server Premier

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Номер по каталогу: KSM26RD4L/32HAI

KSM 26 R D 4 L / 32 H A I

KSM = Kingston Server Premier

• KSM: Kingston Server Premier

26 = Скорость (MT/s)

• 24: 2400 MT/s
• 26: 2666 MT/s
• 29: 2933 MT/s
• 32: 3200 MT/s

R = Тип модуля

• E: модуль DIMM без буфера (ECC)
• R: зарегистрированный модуль DIMM
• L: модуль DIMM с уменьшенной нагрузкой
• SE: модуль SO-DIMM без буфера (ECC)

D = Ранки

• S: одинарный
• D: двойной
• Q: Четырех

4 = Тип DRAM

• 4: x4
• 8: x8

L = Профиль печатной платы

• L: очень низкопрофильный модуль DIMM

32 = емкость

• 8 Гб
• 16 Гб
• 32 Гб
• 64 Гб
• 128 Гб
• 256 Гб

H = Изготовитель DRAM

• H: SK Hynix
• M: Micron

A = Новая версия кристалла DRAM

• A кристалл
• B кристалл
• E кристалл

I = Зарегистрировать изготовителя

• I : IDT
• M : Montage
• R : Rambus

DDR4 ValueRAM

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Номер по каталогу: KVR21LR15D8LK2/4HBI

KVR 21 L R 15 D 8 L K2 / 4 H B I

KVR = Kingston ValueRAM

• KVR: Kingston ValueRAM

21 = Скорость

• 21: 2133
• 24: 2400
• 26: 2666
• 29: 2933
• 32: 3200

L = Низковольтный

• Без обозначения: 1,2V
• L: TBD

R = Тип модуля

• E: небуферизованный DIMM (ECC) с термодатчиком
• L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
• N: небуферизованный DIMM (не ECC)
• R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
• S: SO-DIMM, небуферизованный (не Ecc)

15 = Латентность (CAS)

• 15 : Латентность (CAS)

D = Ранки

• S: одноранковый
• D: Двухранковый
• Q: Четырехранковые
• O: восьмиранковый

8 = Тип DRAM

• 4: x4 микросхема DRAM
• 8: x8 микросхема DRAM
• 6: x16 микросхема DRAM

L = Профиль

• Без обозначения: любая высота
• H: 31,25mm
• L: 18,75mm (VLP)

K2 = Комплект + количество единиц продукции

• Без обозначения: Отдельный модуль
• K2: комплект из двух модулей
• K3: комплект из трех модулей

4 = емкость

• 4 : емкость (Гб)

H = Изготовитель DRAM

• H: SK Hynix
• K: Kingston
• M: Micron
• S: Samsung

B = Версия

• B – Версия

I = Сертификация Intel

• I = Сертификация Intel

DDR3

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Расшифровка каталожных номеров модулей памяти ValueRAM

Пример:

Схема нового номера: KVR 16 R11 D4 / 8

Схема старого номера: KVR 1600 D3 D4 R11 S / 8G

Новая схема номеров применяется к продукции, выпущенной после 1 мая 2012 г.

Номер по каталогу: KVR16LR11D8LK2/4HB

KVR 16 L R 11 D 8 L K2 / 4 H B

KVR = Kingston ValueRAM

• KVR: Kingston ValueRAM

16 = Скорость

• 16: 1600
• 13: 1333
• 10: 1066

L = Низковольтный

• Без обозначения: 1,5V
• L: 1,35V
• U: 1,25V

R = Тип модуля

• E: небуферизованный DIMM (ECC)
• N: небуферизованный DIMM (не ECC)
• R: регистровый DIMM с
• L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
• S: SO-DIMM

11 = Латентность (CAS)

• 11: Латентность (CAS)

D = Ранки

• S: одноранковый
• D: Двухранковый
• Q: Четырехранковые

8 = Тип DRAM

• 4: микросхема DRAM x4
• 8: микросхема DRAM x8

L = Профиль

• L: 18,75mm (VLP)
• H: 30mm

K2 = Комплект + количество единиц продукции

• K2: комплект из двух модулей
• K3: комплект из трех модулей
• K4: комплект из четырех модулей

4 = емкость

• 4: 4Гб
• 8: 8Гб
• 12: 12Гб
• 16: 16Гб
• 24: 24Гб
• 32: 32Гб
• 48: 48Гб
• 64: 64Гб

H = DRAM MFGR/Сертификация

• H: Hynix
• E: Elpida
• I: Сертификация Intel

B = Версия кристалла

• B: Версия кристалла

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

Номер по каталогу: KVR1066D3LD8R7SLK2/4GHB

KVR 1066 D3 L D 8 R 7 S L K2 / 4G H B

KVR = Kingston ValueRAM

• KVR: Kingston ValueRAM

1066 = Скорость

• 1066: Скорость

D3 = Technology

• D2: DDR2
• D3: DDR3

L = Низковольтный

• Без обозначения: 1,5V
• L: 1,35V
• U: 1,25V

D = Технология

• S: одноранковый
• D: Двухранковый
• Q: Четырехранковые

8 = DRAM

• 4: микросхема DRAM x4
• 8: микросхема DRAM x8

R = Тип модуля

• P: регистровый с контролем четности (только для регистровых модулей)
• E: небуферизованный DIMM (ECC)
• F: FB DIMM
• M: Mini-DIMM
• N: небуферизованный DIMM (не ECC)
• R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
• S: SO-DIMM
• U: Micro-DIMM

7 = Латентность (CAS)

• 7: Латентность (CAS)

S = термодатчиком

• Без обозначения: без термодатчика
• S: с термодатчиком

L = Профиль

• Без обозначения:Без обозначения
• L: 18,75mm (VLP)
• H: 30mm

K2 = Комплект + количество единиц продукции

• Без обозначения: Отдельный модуль
• K2: комплект из двух модулей
• K3: комплект из трех модулей

4G = емкость

• 4G: емкость (Гб)

H = DRAM MFGR

• H: DRAM MFGR

B = Версия

• B: Версия

DDR

(PC2100, PC2700, PC3200)

Номер по каталогу: KVR400X72RC3AK2/1G

KVR 400 X72 R C3 A K2 / 1G

KVR = Kingston ValueRAM

• KVR: Kingston ValueRAM

400 = Скорость

• 266
• 333
• 400

X72 = X72 ECC

• X72: X72 ECC

R = регистровая

• R: регистровая

C3 = Латентность (CAS)

• C3: Латентность (CAS)

A = DDR400 3-3-3

• A: DDR400 3-3-3

K2 = Комплект + количество единиц продукции

• K2: комплект из двух модулей

1G = емкость

• 1G: емкость (Гб)

 

Глоссарий

Емкость

Общее количество имеющихся ячеек памяти, содержащееся в модуле памяти, выраженное в гигабайтах (ГБ). Для комплектов указанная емкость — это совокупная емкость всех модулей в комплекте.

CAS-латентность

Заранее определенной в соответствии со стандартом количество тактов для чтения/записи данных в/из модулей и для контроллера памяти. После загрузки команды чтения/записи, а также адресов строка/столбец, CAS-латентность представляет собой время ожидания, необходимое для подготовки этих данных.

DDR4

Технология памяти четвертого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR4». Модули памяти DDR4 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,2 В), различных конфигурациях контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.

DDR5

Технология памяти пятого поколения с синхронной динамической оперативной памятью (SDRAM) с удвоенной скоростью передачи данных (DDR), чаще называемая «DDR5». Модули памяти DDR5 не имеют обратной совместимости с любыми DDR SDRAM предыдущих поколений из-за более низкого напряжения (1,1 В), различий в конфигурации контактной группы и несовместимой технологии производства чипов.

Тип памяти DIMM

UDIMM (небуферизованный (non-ECC Unbuffered Dual In-Line Memory Module) модуль памяти без функции коррекции ошибок) — это модуль памяти с длинным форм-фактором и шириной данных x64, наиболее часто используемый в настольных системах, где исправление ошибок не требуется, а емкость DIMM ограничена.

SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) — это модуль памяти с уменьшенным форм-фактором, предназначенный для небольших вычислительных систем, таких как ноутбуки, микросерверы, принтеры или маршрутизаторы.

Гигабит (Гбит)

Бит — это наименьшая единица данных в вычислениях, которая представляется как 1 или 0 (вкл./выкл.). Гигабит (Гбит) — это 1 миллиард битов (или 109) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти Гб (или Гбит) обычно используется для выражения плотности отдельного компонента DRAM.

Гигабайт (ГБ)

Байт состоит из 8 бит. Гигабайт (ГБ) — это 1 миллиард байтов (или 109) согласно определению в Международной системе единиц (СИ). При описании компьютерной памяти ГБ используется для представления общей емкости данных модуля памяти или группы модулей памяти, объединенных в общую системную память.

Комплект

Номер по каталогу, который включает в себя несколько модулей памяти, обычно для поддержки двух-, трех- или четырехканальной архитектуры памяти. Например, K2 = 2 DIMM в комплекте, чтобы составить общую емкость.

Скорость (так же называемая частотой)

Скорость передачи данных или эффективная тактовая частота, поддерживаемая модулем памяти, измеряется в МГц (мегагерцах) или МТ/с (мегатрансферах в секунду). Чем выше скорость, тем больше данных может быть передано в секунду.

Приведённая ниже информация поможет проиллюстрировать различные настройки, которые можно регулировать при установке оптимальных по производительности таймингов оперативной памяти в BIOS системной платы. Обратите внимание, что эти настройки могут различаться в зависимости от производителя и модели материнской платы, а также версии BIOS.

CAS-латентность (CL): Задержка между активацией и чтением строки.

Задержка RAS-СAS или RAS-столбец (tRCP): Активирует строку

Задержка предзаряда строки или задержка предзаряда RAS (tRP/tRCP): Отключает строку

Активная задержка строки или активная задержка RAS или время до готовности (tRA/tRD/tRAS): Количество тактовых циклов между активацией/деактивацией строки.