Память 8Gb (2x4GB) PC25600 Kingston HX432C18FBK2/8
Краткое описание
DDR4 / 2 модуля, частота 3200 МГц, CL 18T, тайминги 18-21-21, напряжение 1.2 В
Подробное описание
Основные
Набор................................... 2 модуля
Объем................................... 8 ГБ
Тип..................................... DDR4 DIMM
ECC..................................... Нет
Частота................................. 3200 МГц
PC-индекс............................... PC4-25600
CAS Latency............................. 18T
Тайминги................................ 18-21-21
Напряжение питания...................... 1.2
Технические характеристики
Расположение чипов...................... одностороннее
Количество ранков....................... 1
Число микросхем......................... 8
Ёмкость микросхем....................... 4 Гбит
Тип микросхем........................... 512Mx8
Профили XMP............................. Да
Профили AMP............................. Нет
Конструкция
Охлаждение.............................. Да
Низкопрофильный модуль.................. Нет
Наличие
Нет в наличии
Гарантия
12 мес.
Похожие товары
Память 8GB PC3-12800 Silicon Power SP008GBLTU160N02DDR3 / частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
53.20 р. 
Память SODIMM-DDR3 4GB PC3-12800 Kingston KVR16LS11/4WPSODIMM-DDR3 / ValueRAM, 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (разгон 1.5 В)
79.69 р. 
Память 8GB PC4-21300 Kingston KVR26N19S8/8DDR4 / 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
61.75 р. 
Память 4GB PC4-21300 Samsung (M378A5244CB0-CTD)DDR4 / частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
60.80 р. 
Память SODIMM-DDR4 8GB PC4-25600 Kingston KF432S20IB/8SODIMM-DDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В
90.52 р. - Память SODIMM-DDR5 8GB PC5-44800 Hynix HMCG66AGBSA095N AA (ОЕМ)
SODIMM-DDR5 / PC5-5600B-SC0-1010-XT, 8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, 5600 МГц, CL 40T, 1.1 В
50.92 р.
