Память 4GB PC3-12800 QUMO
Краткое описание
DDR3 / 1600MHz, QUM3U-4G1600С11R (QUM3U-4G1600K9R)
Подробное описание
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Объем 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Наличие
Нет в наличии
Гарантия
12 мес.
Производитель
"North Tec Asia Limited", Фю Цонь, г.Шанхай №3768, Китай
Импортер
ООО "БВКомпьютерс", г.Минск, пер.Липковский, 12
Сервис
ЧПТУП "Технодинамика", г.Минск, ул.Козлова, 3, офис 5а
Похожие товары
- Память SODIMM-DDR3 4GB PC3-12800 Kingston KVR16LS11/4WP
SODIMM-DDR3 / ValueRAM, 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (разгон 1.5 В)
73.57 р. - Память 4GB PC4-21300 Samsung (M378A5244CB0-CTD)
DDR4 / частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
67.75 р. - Память 8GB PC4-25600 G.Skill F4-3200C16S-8GIS
DDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
69.07 р. - Память 8GB PC4-21300 Transcend JM2666HLG-8G
DDR4 / 1 модуль, частота 2666 МГц, тайминги 19-19-19, CL 19T, напряжение 1.2 В
89.15 р. - Память 4GB PC3-12800 Kingston KVR16LN11/4
DDR3 / ValueRAM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
78.35 р. - Память 4GB PC3-12800 Kingston KVR16N11S8/4
DDR3 / ValueRAM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
95.14 р.