Пн.-Пт. с 9.00 до 19.00; Сб.-Вс. с 10.00 до 16.00

Винчестеры SSD Samsung

Внутренние M.2 SSD / M.2 22110, PCI Express 4.0 x4, 6800/4000 МБайт/с, 1000000/180000 IOps
7 дней
8518.48 8519.72
Внутренние M.2 SSD / M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D MLC NAND, контроллер Samsung Pablo
11 дней
1039.51 1168.99
Внутренние M.2 SSD / 1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ:
3 дня
839.44 915.59
Внутренние M.2 SSD / 1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/
3 дня
919.72 950.06
Внутренние M.2 SSD / 1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ:
3 дня
985.41 1048.76
Внутренние M.2 SSD / 1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Samsung Presto S4LY027, микросхемы 3D TLC NAND, п
5 дней
1105.14 1140.12
Внутренние M.2 SSD / 1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Samsung Presto S4LY027, микросхемы 3D TLC NAND, п
3 дня
1052.17 1234.26
Внутренние M.2 SSD / 1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последоват
3 дня
1011.96 1044.00
Внутренние M.2 SSD / 1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 3600/3000 МБайт/с, случайный доступ
7 дней
874.13 954.75
Внутренние M.2 SSD / 2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ:
3 дня
1294.91 1335.89
Внутренние M.2 SSD / 2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Samsung Presto S4LY027, микросхемы 3D TLC NAND, п
3 дня
1792.92 1849.69
Внутренние M.2 SSD / 2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Samsung Presto S4LY027, микросхемы 3D TLC NAND, п
3 дня
1896.00 1905.43
Внутренние M.2 SSD / M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный дост
3 дня
1330.62 1428.80
Внутренние M.2 SSD / M.2 22110, PCI Express 4.0 x4, 5500/2000 МБайт/с, 800000/85000 IOps
7 дней
13919.53 13921.56
Внутренние M.2 SSD / 4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7250/6300 М
3 дня
2444.92 2457.07
Внутренние M.2 SSD / 4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7
3 дня
3227.17 3243.22
Внутренние M.2 SSD / 4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, 7450/6900 МБайт/с
7 дней
3512.42 4211.66
Внутренние M.2 SSD / 4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Samsung Presto S4LY027, микросхемы 3D TLC NAND, по
3 дня
3911.87 3912.44
Внутренние M.2 SSD / 4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Samsung Presto S4LY027, микросхемы 3D TLC NAND, п
3 дня
4034.06 4034.65
Внутренние M.2 SSD / 8 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Samsung Presto S4LY027, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14800/13400 МБайт/с, случайный доступ: 2200000/2600000 IOps, совместимость с PS5
7 дней
8991.20 9456.61
Внутренние M.2 SSD / M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последоват
3 дня
757.93 781.91
Внутренние M.2 SSD / 500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND
7 дней
782.09 815.69
Внутренние M.2 SSD / M.2 22110, PCI Express 4.0 x4, 6800/4000 МБайт/с, 1000000/180000 IOps
7 дней
7583.36 7760.36