SSD 8TB Samsung 9100 Pro MZ-VAP8T0BW

Общая информация Дата выхода на рынок.................... 2025 г. Основные Объём................................... 8 ТБ Форм-фактор............................. M.2 Интерфейс............................... PCI Express 5.0 x4 Версия NVMe............................. 2.0 Тип микросхем Flash..................... 3D TLC NAND Контроллер.............................. Samsung Presto S4LY027 Размеры устройств M.2................... 2280 Ресурс записи........................... 4800 TBW Технические характеристики DRAM-буфер.............................. Да Объем DRAM-буфера....................... 8192 МБ Аппаратное шифрование................... Да; AES 256bit Скорость последовательного чтения....... 14 800 Мбайт/с Скорость последовательной записи........ 13 400 Мбайт/с Средняя скорость случайного чтения...... 2 200 000 IOps Средняя скорость случайной записи....... 2 600 000 IOps Энергопотребление (чтение/запись)....... 10.5 Вт; режим записи 8.8 Вт Энергопотребление (ожидание)............ 8.6 Вт Время наработки на отказ (МТBF)......... 1 500 000 ч Толщина................................. 3.88 мм Охлаждение.............................. Нет Подсветка............................... Нет Совместимость с PS5..................... Да Комплектация Тип поставки............................ RTL (в коробке)