Память SODIMM-DDR4 4Gb PC4-19200 HyperX HX424S14IB/4
Краткое описание
SODIMM-DDR4 / HyperX Impact, частота 2400 МГц, CL 14T, тайминги 14-14-14, напряжение 1.2 В
Подробное описание
Основные
Набор................................... Нет
Объем................................... 4 ГБ
Тип..................................... DDR4 SO-DIMM
ECC..................................... Нет
Частота................................. 2400 МГц
PC-индекс............................... PC4-19200
CAS Latency............................. 14T
Тайминги................................ 14-14-14
Напряжение питания...................... 1.2
Технические характеристики
Ёмкость микросхем....................... 4 Гбит
Тип микросхем........................... 512Mx8
Профили XMP............................. Да
Профили AMP............................. Нет
Конструкция
Низкопрофильный модуль.................. Нет
Наличие
Нет в наличии
Гарантия
12 мес.
Похожие товары
Память SODIMM-DDR3 4GB PC3-12800 Kingston KVR16LS11/4 (WP)SODIMM-DDR3 / ValueRAM, 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (разгон 1.5 В)
82.12 р. 
Память SODIMM-DDR3 8GB PC3-12800 Kingston KVR16S11/8 (WP)SODIMM-DDR3 / ValueRAM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
134.14 р. 
Память SODIMM-DDR3 4GB PC3-12800 Transcend (TS512MSK64V6N)SODIMM-DDR3 / 1600 МГц, тайминги 11-11-11, напряжение питания 1.5 В
122.76 р. 
Память SODIMM-DDR3 8GB PC3-12800 Samsung M471B1G73DB0-YK0SODIMM-DDR3 / 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
94.32 р. - Память 16GB PC4-24000 G.Skill F4-3000C16S-16GISB
DDR4 / 1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
133.34 р. 
Память 8GB PC3-12800 Transcend (TS1GKR72W6Z)DDR3 / 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
123.98 р.
