Память SODIMM-DDR4 4Gb PC19200 Hynix (HMA851S6CJR6N-UH)
Краткое описание
SODIMM-DDR4 / частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
Подробное описание
Основные
Набор................................... 1 модуль
Объем................................... 4 ГБ
Тип..................................... DDR4 SO-DIMM
ECC..................................... Нет
Частота................................. 2400 МГц
PC-индекс............................... PC4-19200
CAS Latency............................. 17T
Тайминги................................ 17-17-17
Напряжение питания...................... 1.2
Технические характеристики
Расположение чипов...................... одностороннее
Количество ранков....................... 1
Число микросхем......................... 4
Ёмкость микросхем....................... 8 Гбит
Тип микросхем........................... 512Mx16
Профили XMP............................. Нет
Профили AMP............................. Нет
Конструкция
Охлаждение.............................. Нет
Низкопрофильный модуль.................. Нет
Наличие
Нет в наличии
Гарантия
12 мес.
Производитель
"North Tec Asia Limited", Фю Цонь, г.Шанхай №3768, Китай
Импортер
СЗАО "АСБИС", г.Минск, ул.Машиностроителей, д.29, офис 210
Сервис
ООО "Медиа Маркет Групп", г. Минск, ул. Я.Коласа, д. 34б, оф. 4Н
Похожие товары
Память SODIMM-DDR3 4GB PC3-12800 Kingston KVR16LS11/4 (WP)SODIMM-DDR3 / ValueRAM, 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (разгон 1.5 В)
82.12 р. 
Память SODIMM-DDR3 4GB PC3-12800 Transcend (TS512MSK64V6N)SODIMM-DDR3 / 1600 МГц, тайминги 11-11-11, напряжение питания 1.5 В
122.76 р. 
Память SODIMM-DDR3 8GB PC3-12800 Samsung M471B1G73DB0-YK0SODIMM-DDR3 / 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
94.32 р. - Память 8GB PC4-24000 G.Skill F4-3000C16S-8GISB
DDR4 / частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
71.10 р. 
Память 8GB PC3-12800 Transcend (TS1GKR72W6Z)DDR3 / 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
123.98 р. 
Память 4GB PC4-21300 ADATA AD4U2666J4G19-BDDR4 / 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
111.96 р.
