Память SODIMM-DDR3 4Gb PC3-12800 Hynix HMT451S6BFR8A
Краткое описание
SODIMM-DDR3 / частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
Подробное описание
Объем 4 ГБ
Тип DDR3 SO-DIMM
Частота 1600 МГц
PC-индекс PC3-12800
CAS Latency 11T
Напряжение питания 1.35 В
Наличие
Нет в наличии
Гарантия
11 мес.
Производитель
"North Tec Asia Limited", Фю Цонь, г.Шанхай №3768, Китай
Импортер
СЗАО "АСБИС", г.Минск, ул.Машиностроителей, д.29, офис 210
Сервис
ООО "Медиа Маркет Групп", г. Минск, ул. Я.Коласа, д. 34б, оф. 4Н
Похожие товары
Память SODIMM-DDR3 8GB PC3-12800 Kingston KVR16S11/8 (WP)SODIMM-DDR3 / ValueRAM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
140.40 р. 
Память SODIMM-DDR3 4GB PC3-12800 Transcend (TS512MSK64V6N)SODIMM-DDR3 / 1600 МГц, тайминги 11-11-11, напряжение питания 1.5 В
129.28 р. 
Память 16GB PC4-21300 Kingston KVR26N19D8/16DDR4 / 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
159.91 р. 
Память SODIMM-DDR3 8GB PC3-12800 Samsung M471B1G73DB0-YK0SODIMM-DDR3 / 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
94.32 р. - Память 16GB (2x8GB) PC4-24000 G.Skill F4-3000C16D-16GISB
DDR4 / 2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
148.90 р. - Память 16GB PC4-24000 G.Skill F4-3000C16S-16GISB
DDR4 / 1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
140.00 р.
