Память 4GB PC19200 GOODRAM IR-2400D464L15S/4G
Краткое описание
DDR4 / Iridium, 1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-38, напряжение 1.2 В
Подробное описание
Основные
Набор................................... 1 модуль
Объем................................... 4 ГБ
Тип..................................... DDR4 DIMM
ECC..................................... Нет
Частота................................. 2400 МГц
PC-индекс............................... PC4-19200
CAS Latency............................. 15T
Тайминги................................ 15-15-15
Напряжение питания...................... 1.2
Технические характеристики
Расположение чипов...................... одностороннее
Ёмкость микросхем....................... 4 Гбит
Тип микросхем........................... 512Mx8
Профили AMP............................. Нет
Конструкция
Охлаждение.............................. Да
Низкопрофильный модуль.................. Нет
Наличие
Нет в наличии
Гарантия
12 мес.
Производитель
"North Tec Asia Limited", Фю Цонь, г.Шанхай №3768, Китай
Импортер
ЧУП "СДЛдистри", Минский р-н, пос.Боровляны, ул.40 лет Победы, стр.27/1
Сервис
ООО "Медиа Маркет Групп", г. Минск, ул. Я.Коласа, д. 34б, оф. 4Н
Похожие товары
- Память SODIMM-DDR3 4GB PC3-12800 Kingston KVR16LS11/4 (WP)
SODIMM-DDR3 / ValueRAM, 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (разгон 1.5 В)
82.12 р. - Память 8GB PC4-21300 Kingston KVR26N19S8/8
DDR4 / 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
66.92 р. - Память SODIMM-DDR3 8GB PC3-12800 Samsung M471B1G73DB0-YK0
SODIMM-DDR3 / 1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
94.32 р. - Память 8GB PC4-24000 G.Skill F4-3000C16S-8GISB
DDR4 / частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
71.10 р. - Память 4GB PC4-21300 ADATA AD4U2666J4G19-B
DDR4 / 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
111.96 р. - Память 4GB PC4-21300 Samsung (M378A5244CB0-CTD)
DDR4 / частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
68.40 р.