Процессоры

s-1151 v2 / Coffee Lake, LGA1151 v2, 2 ядра, частота 3.7 ГГц, кэш 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 54W

s-1151 v2 / Coffee Lake, LGA1151 v2, 2 ядра, частота 3.8 ГГц, кэш 4 Мб, техпроцесс 14 нм, TDP 54W

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 2 ядра, частота 4 ГГц, кэш 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 58W

s-1200 / Comet Lake, LGA1200, 2 ядра, частота 4.1 ГГц, кэш 4 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 58W

s-1700 / Alder Lake, LGA1700, 2 ядра, частота 3.7 ГГц, кэш 2.5 МБ + 6 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 46W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 6 ядер, частота 1.9 ГГц, кэш 8.25 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 8 ядер, частота 1.9 ГГц, кэш 11 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

s-4677 / Sapphire Rapids, LGA4677, частота 1.9/1.8 ГГц, кэш 22.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 125W

s-1151 v2 / Coffee Lake, LGA1151 v2, 4 ядра, частота 4.6/3.4 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 71W

s-1151 v2 / Coffee Lake, LGA1151 v2, 4 ядра, частота 4.7/3.5 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 71W

s-1151 v2 / Coffee Lake, LGA1151 v2, 4 ядра, частота 4.8/3.6 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 71W

s-1151 v2 / 6 ядер, частота 4.9/4 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 95W

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 4.5/2.8 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 4.6/3.1 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 4.8/2.9 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 8 ядер, частота 4.8/2.6 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

s-1200 / Rocket Lake, LGA1200, 8 ядер, частота 5.1/3.2 ГГц, кэш 16 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 95W

s-1150 / Haswell, 4 ядра, частота 3.5 ГГц, кэш 1 МБ + 8 МБ, техпроцесс 22 нм, сокет LGA1150

s-2011 / 4 ядра, частота 2.4 ГГц, кэш 1 МБ + 10 МБ, техпроцесс 32 нм, сокет LGA2011, TDP 80W

s-2011 / 4 ядра, частота 2.5 ГГц, кэш 1 МБ + 10 МБ, техпроцесс 22 нм, сокет LGA2011, TDP 80W

s-2011 / 8 ядер, частота 1.7 ГГц + 20 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA2011-3, TDP 85W

s-2011 / Haswell, LGA2011-3, 4 ядра, частота 3.7/3.5 ГГц, кэш 15 МБ, техпроцесс 22 нм, TDP 135W

s-2011 / Broadwell, LGA2011-3, 4 ядра, частота 3.7/3.5 ГГц, кэш 15 МБ, техпроцесс 22 нм, TDP 135W

s-2011 / Broadwell, LGA2011-3, 14 ядер, частота 3.5/2.6 ГГц, кэш 35 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 135

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 20 ядер, частота 4/2.1 ГГц, кэш 27.5 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 125W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 24 ядра, частота 4/2.2 ГГц, кэш 35.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 150W

s-3647 / Cascade Lake, LGA3647, 4 ядра, частота 3.9/3.8 ГГц, кэш 17 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 105W

s-4189 / Ice Lake, LGA4189, 8 ядер, частота 3.6/3.2 ГГц, кэш 1 МБ + 12 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 125W

s-4189 / Ice Lake, LGA4189, 12 ядер, частота 3.6/3 ГГц, кэш 18 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W

s-4677 / Sapphire Rapids, LGA4677, 8 ядер, 16 потоков, частота 4.1/2.9 ГГц, кэш 22.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 150W