Пн.-Пт. с 9.00 до 19.00; Сб.-Вс. с 10.00 до 16.00

Память Samsung

DDR4 / 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
3 дня
266.97 266.93
DDR4 / 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
3 дня
266.93
DDR4 / 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
7 дней
465.04 429.09
DDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В
3 дня
301.00 300.96
DDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В
3 дня
626.92
DDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
3 дня
627.02 626.92
DDR4 / 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
7 дней
995.13 994.98
DDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
7 дней
1219.34 1219.17
DDR4 / 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
7 дней
1036.57 1036.42
DDR4 / 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-46, напряжение 1.2 В
3 дня
4125.37 4124.76
DDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В
7 дней
5722.22 5721.39
DDR4 / 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
7 дней
4839.25 4838.55
DDR4 / 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
7 дней
2967.23 2966.80
DDR4 / 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
4 дня
4180.54 4179.93
DDR4 / 1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
7 дней
4149.01 4148.40
DDR4 / 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
7 дней
7821.14 7820.00
DDR4 / 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
7 дней
7782.50 7781.37
DDR4 / 128 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
7 дней
8031.90 8030.73