SSD 1TB Samsung 990 MZ-V9V1T0BW

Общая информация Дата выхода на рынок.................... 2026 г. Основные Объём................................... 1 ТБ Форм-фактор............................. M.2 Интерфейс............................... PCI Express 4.0 x4 Версия NVMe............................. 2.0 Тип микросхем Flash..................... 3D QLC NAND Контроллер.............................. Samsung PiccoloQ Размеры устройств M.2................... 2280 Ресурс записи........................... 400 TBW Технические характеристики DRAM-буфер.............................. Нет Аппаратное шифрование................... Да; AES 256bit Скорость последовательного чтения....... 7 150 Мбайт/с Скорость последовательной записи........ 6 450 Мбайт/с Средняя скорость случайного чтения...... 700 000 IOps Средняя скорость случайной записи....... 1 100 000 IOps Энергопотребление (чтение/запись)....... 4 Вт Энергопотребление (ожидание)............ 0.055 Вт Время наработки на отказ (МТBF)......... 1 500 000 ч Толщина................................. 2.38 мм Охлаждение.............................. Нет Подсветка............................... Нет Совместимость с PS5..................... Да Комплектация Тип поставки............................ RTL (в коробке)